NTMS4706NR2
Modello di prodotti:
NTMS4706NR2
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18481 Pieces
Scheda dati:
NTMS4706NR2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 10.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):830mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTMS4706NR2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 24V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 6.4A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.4A (Ta)
Email:[email protected]

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