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NTMFS6B03NT1G
- Modello di prodotti:
- NTMFS6B03NT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16973 Pieces
- Scheda dati:
- NTMFS6B03NT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMFS6B03NT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMFS6B03NT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.4W (Ta), 165W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | NTMFS6B03NT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 29 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTMFS6B03NT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 19A (Ta), 132A (Tc) 3.4W (Ta), 165W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Ta), 132A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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