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NTMD5836NLR2G
- Modello di prodotti:
- NTMD5836NLR2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14799 Pieces
- Scheda dati:
- NTMD5836NLR2G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMD5836NLR2G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMD5836NLR2G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12 mOhm @ 10A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMD5836NLR2G-ND NTMD5836NLR2GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTMD5836NLR2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2120pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9A, 5.7A 1.5W Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A, 5.7A |
| Email: | [email protected] |
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