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NTLUS4C12NTBG
- Modello di prodotti:
- NTLUS4C12NTBG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13516 Pieces
- Scheda dati:
- NTLUS4C12NTBG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTLUS4C12NTBG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTLUS4C12NTBG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-UDFN (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 630mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTLUS4C12NTBG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1172pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 6.8A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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