NTLJS3113PT1G
NTLJS3113PT1G
Modello di prodotti:
NTLJS3113PT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12928 Pieces
Scheda dati:
NTLJS3113PT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-WDFN (2x2)
Serie:µCool™
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi:NTLJS3113PT1G-ND
NTLJS3113PT1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:31 Weeks
codice articolo del costruttore:NTLJS3113PT1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1329pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15.7nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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