NTLGD3502NT2G
NTLGD3502NT2G
Modello di prodotti:
NTLGD3502NT2G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18718 Pieces
Scheda dati:
NTLGD3502NT2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-DFN (3x3)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Potenza - Max:1.74W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-VDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:NTLGD3502NT2G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:480pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.3A, 3.6A
Email:[email protected]

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