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NTJS4405NT4
- Modello di prodotti:
- NTJS4405NT4
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 15258 Pieces
- Scheda dati:
- NTJS4405NT4.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 350 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 630mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTJS4405NT4 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTJS4405NT4
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLIZ24G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP | Inchiesta |
 |
NTJS4405NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Inchiesta |
|
NTJS4405NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Inchiesta |
 |
PHT4NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 | Inchiesta |
|
NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Inchiesta |
|
NTJS4151PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 | Inchiesta |
|
NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 | Inchiesta |
 |
APTM50DAM38CTG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 90A SP4 | Inchiesta |
 |
DMN30H4D0LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN | Inchiesta |
|
NTJS4160NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 | Inchiesta |
 |
SI7119DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 | Inchiesta |
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