NTHS5402T1
NTHS5402T1
Modello di prodotti:
NTHS5402T1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19853 Pieces
Scheda dati:
NTHS5402T1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ChipFET™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:NTHS5402T1OS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTHS5402T1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.9A (Ta)
Email:[email protected]

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