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NTHD4P02FT1G
- Modello di prodotti:
- NTHD4P02FT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18871 Pieces
- Scheda dati:
- NTHD4P02FT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTHD4P02FT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTHD4P02FT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ChipFET™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.1W (Tj) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | NTHD4P02FT1G-ND NTHD4P02FT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTHD4P02FT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 2.2A (Tj) 1.1W (Tj) Surface Mount ChipFET™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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