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NTHD3100CT1G
- Modello di prodotti:
- NTHD3100CT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17941 Pieces
- Scheda dati:
- NTHD3100CT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | ChipFET™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.1W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | NTHD3100CT1GOSDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTHD3100CT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 165pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A, 3.2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTHD3100CT1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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NTHD3101FT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | Inchiesta |
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NTHD3100CT3 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET | Inchiesta |
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NTHD3133PFT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | Inchiesta |
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NTHD3101FT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | Inchiesta |
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NTHD3133PFT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | Inchiesta |
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