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NTGD4169FT1G
- Modello di prodotti:
- NTGD4169FT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19323 Pieces
- Scheda dati:
- NTGD4169FT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 900mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 |
| temperatura di esercizio: | -25°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTGD4169FT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 295pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 2.6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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