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NTF3055-100T1G
- Modello di prodotti:
- NTF3055-100T1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13513 Pieces
- Scheda dati:
- NTF3055-100T1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 (TO-261) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 110 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.3W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | NTF3055-100T1GOS NTF3055-100T1GOS-ND NTF3055-100T1GOSTR NTF3055100T1G |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 27 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTF3055-100T1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 455pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTF3055-100T1G
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