NTD85N02R
NTD85N02R
Modello di prodotti:
NTD85N02R
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
14886 Pieces
Scheda dati:
NTD85N02R.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTD85N02R
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2050pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17.7nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 24V 12A (Ta), 85A (Tc) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):24V
Descrizione:MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 85A (Tc)
Email:[email protected]

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