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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTD65N03R-035
NTD65N03R-035
NTD65N03R-035
Modello di prodotti:
NTD65N03R-035
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
17845 Pieces
Scheda dati:
NTD65N03R-035.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-Pak
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Stub Leads, IPak
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTD65N03R-035
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 9.5A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

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NTD65N03R-1G Image NTD65N03R-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK Inchiesta
NTD65N03RT4G Image NTD65N03RT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK Inchiesta
NTD65N03R-001 Image NTD65N03R-001 ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK Inchiesta
NTD65N03RT4 Image NTD65N03RT4 ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK Inchiesta
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