NTD6416AN-1G
NTD6416AN-1G
Modello di prodotti:
NTD6416AN-1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17914 Pieces
Scheda dati:
NTD6416AN-1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-Pak
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:81 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max):71W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:NTD6416AN-1G-ND
NTD6416AN-1GOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTD6416AN-1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:620pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 17A (Tc) 71W (Tc) Through Hole I-Pak
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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