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NTD4960NT4G
- Modello di prodotti:
- NTD4960NT4G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16759 Pieces
- Scheda dati:
- NTD4960NT4G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTD4960NT4G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTD4960NT4G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | NTD4960NT4GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTD4960NT4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.9A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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