Acquistare NTD4860NA-35G con BYCHPS
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		| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA | 
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak | 
| Serie: | - | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 30A, 10V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 1.28W (Ta), 50W (Tc) | 
| imballaggio: | Tube | 
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Stub Leads, IPak | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Through Hole | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| codice articolo del costruttore: | NTD4860NA-35G | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1308pF @ 12V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21.8nC @ 10V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Caratteristica FET: | - | 
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V | 
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.4A (Ta), 65A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |