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NTD2955-1G
- Modello di prodotti:
- NTD2955-1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14546 Pieces
- Scheda dati:
- NTD2955-1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTD2955-1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTD2955-1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 55W (Tj) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | NTD2955-1G-ND NTD2955-1GOS NTD29551G |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 21 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTD2955-1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole I-Pak |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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