Acquistare NTD14N03R-001 con BYCHPS
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		| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA | 
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak | 
| Serie: | - | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 95 mOhm @ 5A, 10V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) | 
| imballaggio: | Tube | 
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 
| Altri nomi: | NTD14N03R-001OS | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Through Hole | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| codice articolo del costruttore: | NTD14N03R-001 | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 115pF @ 20V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.8nC @ 5V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Caratteristica FET: | - | 
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 2.5A (Ta) 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) Through Hole I-Pak | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V | 
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) | 
| Email: | [email protected] |