NTB125N02RT4
NTB125N02RT4
Modello di prodotti:
NTB125N02RT4
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
15412 Pieces
Scheda dati:
NTB125N02RT4.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:NTB125N02RT4OSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTB125N02RT4
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3440pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 24V 95A (Ta), 120.5A (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):24V
Descrizione:MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:95A (Ta), 120.5A (Tc)
Email:[email protected]

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