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NTA4151PT1G
- Modello di prodotti:
- NTA4151PT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12940 Pieces
- Scheda dati:
- NTA4151PT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 450mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±6V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-75, SOT-416 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 360 mOhm @ 350mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 301mW (Tj) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SC-75, SOT-416 |
| Altri nomi: | NTA4151PT1GOSDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 35 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTA4151PT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 156pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 760mA (Tj) 301mW (Tj) Surface Mount SC-75, SOT-416 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 760mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTA4151PT1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTA4153NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | Inchiesta |
|
NTA4151PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416 | Inchiesta |
|
NTA4151PT1H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.76A SC75 | Inchiesta |
 |
PHB21N06LT,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK | Inchiesta |
 |
STD12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK | Inchiesta |
 |
IRF3711ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB | Inchiesta |
 |
IPB100N08S207ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | Inchiesta |
 |
FDP8896 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRF644B_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220 | Inchiesta |
 |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS | Inchiesta |
 |
FDPF18N50T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F | Inchiesta |
|
NTA4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | Inchiesta |
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