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NSVBSP19AT1G
- Modello di prodotti:
- NSVBSP19AT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19769 Pieces
- Scheda dati:
- NSVBSP19AT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 350V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 (TO-261) |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 800mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NSVBSP19AT1G |
| Frequenza - transizione: | 70MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 800mW Surface Mount SOT-223 (TO-261) |
| Descrizione: | TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 20mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 20nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NSVBSP19AT1G
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