NSTB60BDW1T1G
NSTB60BDW1T1G
Modello di prodotti:
NSTB60BDW1T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16765 Pieces
Scheda dati:
NSTB60BDW1T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):22k
Potenza - Max:250mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:NSTB60BDW1T1GOS
NSTB60BDW1T1GOS-ND
NSTB60BDW1T1GOSTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:NSTB60BDW1T1G
Frequenza - transizione:140MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 140MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrizione:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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