NJVNJD35N04T4G
NJVNJD35N04T4G
Modello di prodotti:
NJVNJD35N04T4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14746 Pieces
Scheda dati:
NJVNJD35N04T4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):350V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.5V @ 20mA, 2A
Tipo transistor:NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK-3
Serie:-
Potenza - Max:45W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:NJVNJD35N04T4G
Frequenza - transizione:90MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK-3
Descrizione:TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:2000 @ 2A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):50µA
Corrente - collettore (Ic) (max):4A
Email:[email protected]

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