NJVMJD31CT4G-VF01
NJVMJD31CT4G-VF01
Modello di prodotti:
NJVMJD31CT4G-VF01
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 100V 3A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19605 Pieces
Scheda dati:
NJVMJD31CT4G-VF01.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.2V @ 375mA, 3A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Potenza - Max:1.56W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:NJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4G-ND
NJVMJD31CT4G-VF01OSTR
NJVMJD31CT4GOSTR
NJVMJD31CT4GOSTR-ND
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:NJVMJD31CT4G-VF01
Frequenza - transizione:3MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
Descrizione:TRANS NPN 100V 3A DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:25 @ 1A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max):50µA
Corrente - collettore (Ic) (max):3A
Email:[email protected]

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