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NJVMJD112G
- Modello di prodotti:
- NJVMJD112G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17032 Pieces
- Scheda dati:
- NJVMJD112G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NJVMJD112G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NJVMJD112G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 100V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 3V @ 40mA, 4A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1.75W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NJVMJD112G |
| Frequenza - transizione: | 25MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
| Descrizione: | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 2A, 3V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 20µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NJVMJD112G
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