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NJVBDX53C
- Modello di prodotti:
- NJVBDX53C
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 13705 Pieces
- Scheda dati:
- NJVBDX53C.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 100V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 2V @ 12mA, 3A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 65W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | NJVBDX53C |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 65W Through Hole TO-220AB |
| Descrizione: | TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 750 @ 3A, 3V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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