NGTB60N65FL2WG
NGTB60N65FL2WG
Modello di prodotti:
NGTB60N65FL2WG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
650V/60A IGBT FSII
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12418 Pieces
Scheda dati:
NGTB60N65FL2WG.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2V @ 15V, 60A
Condizione di test:400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:117ns/265ns
di scambio energetico:1.59mJ (on), 660µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247-3
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):96ns
Potenza - Max:595W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:NGTB60N65FL2WGOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:NGTB60N65FL2WG
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:Field Stop
carica gate:318nC
Descrizione espansione:IGBT Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247-3
Descrizione:650V/60A IGBT FSII
Corrente - collettore Pulsed (Icm):240A
Corrente - collettore (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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