NE851M13-T3-A - CEL - Transistor-bipolare (BJT)-RF NE851M13-T3-A

NE851M13-T3-A

Modello di prodotti:: NE851M13-T3-A

fabbricante:: CEL (California Eastern Laboratories)

Descrizione:: TRANS NPN LOW PRO M13 SMD

Stato Lead senza piombo / RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

quantità disponibile:: 17357 Pieces

Scheda dati:: 1.NE851M13-T3-A.pdf 2.NE851M13-T3-A.pdf

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	5.5V
Tipo transistor:	NPN
Contenitore dispositivo fornitore:	M13
Serie:	-
Potenza - Max:	140mW
imballaggio:	Original-Reel®
Contenitore / involucro:	SOT-3
Altri nomi:	NE851M13-T3-ADKR
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f):	1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Tipo montaggio:	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:	NE851M13-T3-A
Guadagno:	4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
Frequenza - transizione:	4.5GHz
Descrizione espansione:	RF Transistor NPN 5.5V 100mA 4.5GHz 140mW Surface Mount M13
Descrizione:	TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	100 @ 5mA, 1V
Corrente - collettore (Ic) (max):	100mA
Email:	[email protected]

Parti relative per NE851M13-T3-A

Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
NE851M03-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363	Inchiesta
NE856M02-AZ	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-89	Inchiesta
NE851M33-T3-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	Inchiesta
NE851M33-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	Inchiesta
MX0912B351Y,114	Ampleon USA Inc.	TRANSISTOR POWER NPN SOT439A	Inchiesta

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