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NE650103M-A
- Modello di prodotti:
- NE650103M-A
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- FET RF 15V 2.3GHZ 3M
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15097 Pieces
- Scheda dati:
- NE650103M-A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 10V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 15V |
| Tipo transistor: | MESFET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 3M |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 40dBm |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | SOT-445 Variant |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NE650103M-A |
| Guadagno: | 11dB |
| Frequenza: | 2.3GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet MESFET 10V 1.5A 2.3GHz 11dB 40dBm 3M |
| Descrizione: | FET RF 15V 2.3GHZ 3M |
| Valutazione attuale: | 5A |
| Corrente - Test: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NE650103M-A
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
VRF157FLMP | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CHANNEL 50V 4SMD | Inchiesta |
 |
BF909WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343 | Inchiesta |
 |
BLF8G22LS-160BV:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | Inchiesta |
 |
MRFG35010AR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF | Inchiesta |
 |
BF556B,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 13MA SOT23 | Inchiesta |
|
MMRF1018NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 860MHZ | Inchiesta |
 |
PTFA190451EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 | Inchiesta |
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