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NE4210S01
- Modello di prodotti:
- NE4210S01
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- HJ-FET 13DB S01
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18086 Pieces
- Scheda dati:
- NE4210S01.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 2V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 4V |
| Tipo transistor: | HFET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMD |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Cut Strip |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD |
| Figura di rumore: | 0.5dB |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NE4210S01 |
| Guadagno: | 13dB |
| Frequenza: | 12GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD |
| Descrizione: | HJ-FET 13DB S01 |
| Valutazione attuale: | 15mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NE4210S01
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF278/01,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | Inchiesta |
 |
MRF7S38010HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | Inchiesta |
 |
NE4210S01-T1B | CEL | HJ-FET 13DB S01 | Inchiesta |
 |
BLF2425M8L140J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | Inchiesta |
 |
NE5550234-AZ | CEL | FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD | Inchiesta |
 |
BLF8G20LS-220J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | Inchiesta |
|
MRF8VP13350GNR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 350W 50V | Inchiesta |
|
MRF9045NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ TO272-2 | Inchiesta |
 |
BLS7G2730L-200PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-210PVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | Inchiesta |
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