NDS356AP
Modello di prodotti:
NDS356AP
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16711 Pieces
Scheda dati:
1.NDS356AP.pdf2.NDS356AP.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:200 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:NDS356APTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
codice articolo del costruttore:NDS356AP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.4nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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