NDB6030PL
NDB6030PL
Modello di prodotti:
NDB6030PL
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19724 Pieces
Scheda dati:
NDB6030PL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max):75W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:NDB6030PL-ND
NDB6030PLFSTR
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
codice articolo del costruttore:NDB6030PL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1570pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 30A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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