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NCV5183DR2G
- Modello di prodotti:
- NCV5183DR2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15728 Pieces
- Scheda dati:
- NCV5183DR2G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NCV5183DR2G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NCV5183DR2G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 9 V ~ 18 V |
|---|---|
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| Tempo di salita / scadenza (Typ): | 12ns, 12ns |
| Altri nomi: | NCV5183DR2GOSCT |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso: | 2 |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 11 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NCV5183DR2G |
| Tensione logica - VIL, VIH: | 1.2V, 2.5V |
| Tipo di ingresso: | Non-Inverting |
| Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap): | 600V |
| Tipo di porta: | N-Channel MOSFET |
| Descrizione espansione: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting |
| Configurazione guidata: | Half-Bridge |
| Descrizione: | IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore): | 4.3A, 4.3A |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
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