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Casa > Centro di prodotti > Power Management IC > IC gestione alimentazione - Gate driver > NCP5359DR2G
NCP5359DR2G
Modello di prodotti:
NCP5359DR2G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12216 Pieces
Scheda dati:
NCP5359DR2G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:10 V ~ 13.2 V
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Tempo di salita / scadenza (Typ):16ns, 11ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:NCP5359DR2G-ND
NCP5359DR2GOSTR
temperatura di esercizio:0°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso:2
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
codice articolo del costruttore:NCP5359DR2G
Tensione logica - VIL, VIH:1V, 2V
Tipo di ingresso:Non-Inverting
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap):35V
Tipo di porta:N-Channel MOSFET
Descrizione espansione:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Configurazione guidata:Half-Bridge
Descrizione:IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore):-
Base-Emitter Tensione di saturazione (max):Synchronous
Email:[email protected]

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