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NAND256W3A0BE06
- Modello di prodotti:
- NAND256W3A0BE06
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 256MBIT 50NS WAFER
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13710 Pieces
- Scheda dati:
- NAND256W3A0BE06.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 48-TSOP |
| Velocità: | 50ns |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 256Mb (32M x 8) |
| Formato di memoria: | FLASH |
| codice articolo del costruttore: | NAND256W3A0BE06 |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC FLASH 256MBIT 50NS WAFER |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NAND256W3A0BE06
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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NAND256W3A2BZAXE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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NAND256W3A0BN6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A2BE06 | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS WAFER | Inchiesta |
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NAND256W3A0BN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A2BN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A2BN6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A2BZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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NAND256R3A2BZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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NAND256W3A2BNXE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A0BZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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NAND256W3A2BZA6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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