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MW6S010GMR1
- Modello di prodotti:
- MW6S010GMR1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15187 Pieces
- Scheda dati:
- MW6S010GMR1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 68V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-270-2 GULL |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 10W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-270-2 Gull Wing |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MW6S010GMR1 |
| Guadagno: | 18dB |
| Frequenza: | 960MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 GULL |
| Descrizione: | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MW6S010GMR1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF7G27L-90P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A | Inchiesta |
 |
MAGX-001214-250L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ | Inchiesta |
 |
MW6S010GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | Inchiesta |
 |
MW6S004NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 | Inchiesta |
 |
MW6S010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2 | Inchiesta |
 |
MW6S010MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 | Inchiesta |
 |
BF1202WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | Inchiesta |
|
A2T21S260-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
MMBFJ310LT3G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA SOT23 | Inchiesta |
 |
PD85004 | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | Inchiesta |
 |
BLS6G2731-6G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C | Inchiesta |
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