MVGSF1N02LT1G
MVGSF1N02LT1G
Modello di prodotti:
MVGSF1N02LT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17086 Pieces
Scheda dati:
MVGSF1N02LT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 1.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:30 Weeks
codice articolo del costruttore:MVGSF1N02LT1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:125pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:750mA (Ta)
Email:[email protected]

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