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MTY100N10E
- Modello di prodotti:
- MTY100N10E
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 13602 Pieces
- Scheda dati:
- MTY100N10E.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MTY100N10E, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MTY100N10E via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-264 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| Altri nomi: | MTY100N10EOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MTY100N10E |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10640pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 378nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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