Acquistare MTP12P10G con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 75W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | MTP12P10GOS |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MTP12P10G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 920pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 100V 12A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |