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MT47R512M4EB-25E:C
- Modello di prodotti:
- MT47R512M4EB-25E:C
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16572 Pieces
- Scheda dati:
- MT47R512M4EB-25E:C.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 1.55 V ~ 1.9 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 60-FBGA (9x11.5) |
| Velocità: | 400MHz |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 60-TFBGA |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 2Gb (512M x 4) |
| Formato di memoria: | DRAM |
| codice articolo del costruttore: | MT47R512M4EB-25E:C |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MT47R512M4EB-25E:C
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