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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati IC > Memoria > MT47H64M8CB-3:B TR
MT47H64M8CB-3:B TR
MT47H64M8CB-3:B TR
Modello di prodotti:
MT47H64M8CB-3:B TR
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13905 Pieces
Scheda dati:
MT47H64M8CB-3:B TR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.9 V
Contenitore dispositivo fornitore:60-FBGA
Velocità:333MHz
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:60-FBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 85°C (TC)
Livello di sensibilità umidità (MSL):5 (48 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:512Mb (64M x 8)
Formato di memoria:DRAM
codice articolo del costruttore:MT47H64M8CB-3:B TR
Interfaccia:Parallel
Descrizione:IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60FBGA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA Inchiesta
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MT47H64M8CB-37E:B Image MT47H64M8CB-37E:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 266MHZ 60FBGA Inchiesta
MT47H64M8CB-5E:B TR Image MT47H64M8CB-5E:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA Inchiesta

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