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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati IC > Memoria > MT46H128M32L2KQ-48 WT:C
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C
Modello di prodotti:
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17379 Pieces
Scheda dati:
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.95 V
Contenitore dispositivo fornitore:168-WFBGA (12x12)
Velocità:208MHz
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:168-WFBGA
temperatura di esercizio:-25°C ~ 85°C (TA)
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:4Gb (128M x 32)
Formato di memoria:DRAM
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:MT46H128M32L2KQ-48 WT:C
Interfaccia:Parallel
Descrizione:IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA
Email:[email protected]

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Parti relative per MT46H128M32L2KQ-48 WT:C

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Image MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA Inchiesta
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA Inchiesta
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MT46H128M32L2MC-5 IT:A Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA Inchiesta
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA Inchiesta
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MT46H128M32L2MC-5 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA Inchiesta
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MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA Inchiesta
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Image MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA Inchiesta
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA Inchiesta

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