MS1227 - Microsemi Corporation - Transistor-bipolare (BJT)-RF MS1227

MS1227

Modello di prodotti:: MS1227

fabbricante:: Microsemi

Descrizione:: TRANS RF BIPO 80W 4.5A M113

Stato Lead senza piombo / RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

quantità disponibile:: 19507 Pieces

Scheda dati:: MS1227.pdf

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	18V
Tipo transistor:	NPN
Contenitore dispositivo fornitore:	M113
Serie:	-
Potenza - Max:	80W
imballaggio:	Bulk
Contenitore / involucro:	M113
temperatura di esercizio:	200°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f):	-
Tipo montaggio:	Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:	MS1227
Guadagno:	15dB
Frequenza - transizione:	30MHz
Descrizione espansione:	RF Transistor NPN 18V 4.5A 30MHz 80W Chassis Mount M113
Descrizione:	TRANS RF BIPO 80W 4.5A M113
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	200 @ 1A, 5V
Corrente - collettore (Ic) (max):	4.5A
Email:	[email protected]

Parti relative per MS1227

Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
2SC5338-T1-AZ	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-89	Inchiesta
2SC5750-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Inchiesta
BFG520W/X,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT343N	Inchiesta
BFR93A,235	NXP USA Inc.	TRANS NPN 12V 35MA 6GHZ SOT23	Inchiesta
MRF4427R2	Microsemi Corporation	TRANS NPN 20V 400MA SO8	Inchiesta
MS1226	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN M113	Inchiesta
NESG2046M33-T3-A	CEL	TRANS NPN 2GHZ M33	Inchiesta

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