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MRF7S19100NBR1
- Modello di prodotti:
- MRF7S19100NBR1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18843 Pieces
- Scheda dati:
- MRF7S19100NBR1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-272 WB-4 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 29W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-272BB |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | MRF7S19100NBR1 |
| Guadagno: | 17.5dB |
| Frequenza: | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.5dB 29W TO-272 WB-4 |
| Descrizione: | FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MRF7S19100NBR1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF7S19170HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | Inchiesta |
 |
MRF7S19170HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | Inchiesta |
 |
MRF7S19210HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI780 | Inchiesta |
|
MRF7S19080HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | Inchiesta |
|
MRF7S19210HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI780 | Inchiesta |
 |
MRF7S19120NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 | Inchiesta |
|
MRF7S19100NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ TO270-4 | Inchiesta |
|
MRF7S19210HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI780S | Inchiesta |
|
MRF7S19170HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | Inchiesta |
|
MRF7S19080HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | Inchiesta |
|
MRF7S19170HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | Inchiesta |
|
MRF7S19080HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | Inchiesta |
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