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MRF5S21130HSR5
- Modello di prodotti:
- MRF5S21130HSR5
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14838 Pieces
- Scheda dati:
- MRF5S21130HSR5.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-880S |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 28W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-880S |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | MRF5S21130HSR5 |
| Guadagno: | 13.5dB |
| Frequenza: | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 28W NI-880S |
| Descrizione: | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MRF5S21130HSR5
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5S21100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Inchiesta |
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MRF5S21150HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Inchiesta |
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MRF5S21045NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | Inchiesta |
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MRF5S21100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Inchiesta |
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MRF5S21045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 | Inchiesta |
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MRF5S21130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Inchiesta |
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MRF5S21150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Inchiesta |
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MRF5S21130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Inchiesta |
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MRF5S21150HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Inchiesta |
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MRF5S21150HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Inchiesta |
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MRF5S21130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Inchiesta |
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MRF5S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | Inchiesta |
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MRF5S21100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | Inchiesta |
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