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MMJT350T1G
- Modello di prodotti:
- MMJT350T1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12294 Pieces
- Scheda dati:
- MMJT350T1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 300V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | - |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 650mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | MMJT350T1G-ND MMJT350T1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 2 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | MMJT350T1G |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 650mW Surface Mount SOT-223 |
| Descrizione: | TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 50mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MMJT350T1G
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