MMBT6517LT3G
MMBT6517LT3G
Modello di prodotti:
MMBT6517LT3G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16860 Pieces
Scheda dati:
MMBT6517LT3G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):350V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Potenza - Max:225mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:MMBT6517LT3G-ND
MMBT6517LT3GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:MMBT6517LT3G
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descrizione:TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 50mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):50nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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