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MJD253-1G
- Modello di prodotti:
- MJD253-1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PNP 100V 4A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14468 Pieces
- Scheda dati:
- MJD253-1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MJD253-1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MJD253-1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 100V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 600mV @ 100mA, 1A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1.4W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | MJD253-1G-ND MJD253-1GOS MJD2531G |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | MJD253-1G |
| Frequenza - transizione: | 40MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Through Hole I-Pak |
| Descrizione: | TRANS PNP 100V 4A IPAK |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 200mA, 1V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 4A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MJD253-1G
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