MJD200G
MJD200G
Modello di prodotti:
MJD200G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 25V 5A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15578 Pieces
Scheda dati:
MJD200G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):25V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.8V @ 1A, 5A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK-3
Serie:-
Potenza - Max:1.4W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:MJD200G-ND
MJD200GOS
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:2 Weeks
codice articolo del costruttore:MJD200G
Frequenza - transizione:65MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 5A 65MHz 1.4W Surface Mount DPAK-3
Descrizione:TRANS NPN 25V 5A DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:45 @ 2A, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):5A
Email:[email protected]

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